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真空鍍膜機主要由鍍膜室、真空系統、電控系統等部分組成。而立式真空蒸發(fā)鍍膜機的鍍膜室結構主要由室體、球面行星轉動(dòng)基片架、基片烘烤裝置、E型槍蒸發(fā)源、膜厚測量晶體、擋板等構件組成。室體可采用鐘罩式或前開(kāi)門(mén)式結構。鐘罩式室體通常用于較小的鍍膜裝置(直徑不大于500mm)，前開(kāi)門(mén)式室體通常用于較大的鍍膜設備。室體上均設置有觀(guān)察窗。

基片烘烤裝置的加熱元件可采用電阻加熱器、遠紅外加熱管或碘鎢燈等加熱元件。根據鍍膜工藝的需要，確定烘烤溫度范圍及其加熱功率。

e型槍蒸發(fā)源固定在室體底板上，并且使其坩堝內的膜材蒸發(fā)平面基本上與球面基片架位于同一球面上，以便保證膜厚均勻。

擋板位于坩堝上方，由鍍膜室外部的操作手柄使其遮擋膜材蒸汽流或移開(kāi)擋板進(jìn)行蒸鍍。擋板的作用是為了提高膜層純度，防止高蒸汽壓雜質(zhì)蒸鍍到基片上。

膜層測量晶體是石英晶體測厚儀的傳感器，可以實(shí)現鍍膜過(guò)程的實(shí)時(shí)膜厚測量。目前在制備光學(xué)膜的鍍膜機中。通常采用單色儀、測厚儀、光源及測試玻片組合而成的學(xué)光測厚系統。以測試玻片的膜厚表征基片膜厚，用單色儀接收到的光束信號實(shí)現膜厚的實(shí)時(shí)測量。

為了適應鍍膜工藝的靈活性要求，在很多該類(lèi)型的鍍膜機中除了設置e型槍蒸發(fā)源外，還配備了電阻加熱式蒸發(fā)源。